日本物理学会学生優秀発表賞　募集要領

日本物理学会では優れた講演発表を行った学生の方々に対して「日本物理学会学生優秀発表賞」（旧・学生賞（2017年春〜2018年春））を授与いたします。
日本物理学会公式ページ：学生優秀発表賞

The Physical Society of Japan presents the Student Presentation Award (formerly the "Student Award" from Spring 2017 to Spring 2018) to students who deliver outstanding presentations.
Official JPS webpage: Student Presentation Award

本賞は、領域9で審査を行い選考した候補者を、日本物理学会が表彰するものです。領域9では以下の要領で募集致します。 発表を予定されている学生の方々は、奮ってご応募下さい。

This award is presented by the Physical Society of Japan to candidates selected through a review process conducted by Division 9. Applications will be accepted according to the guidelines outlined below by Division 9. We strongly encourage all students planning to present to apply.

【対象とする講演 (Eligible Presentations)】

ポスター講演のみ とします。
Poster presentations only

【応募資格、要件 (Application Eligibility and Conditions)】

  1. 講演申し込み時に、大学、大学院または同等の機関に所属し、学部、修士、博士課程および高専専攻科に在籍されている方を対象とします。
  2. 応募した発表の筆頭著者であることが必要です。
  1. Eligible applicants must be affiliated with a university, graduate school, or equivalent institution at the time of abstract submission, and be enrolled in an undergraduate, master's, doctoral program, or technical college advanced course.
  2. The applicant must be the first author of the submitted presentation.

【応募期間 (Application Period)】

  1. 応募のタイミングは、最初の一般公演申し込み時です。A4 サイズの講演概要集原稿投稿時ではありませんので注意して下さい。
  1. Please note that the timing for application is at the time of the initial general presentation submission, not when submitting the A4 abstract manuscript.

【応募手続き (Application Procedure)】

講演申し込み画面の　「学生優秀発表賞の応募」欄において
  1. 　＜応募する＞　にチェックをし、
  2. 　学年欄に学年を入力
    3. して下さい。
On the presentation submission screen, under the "Application for the Student Presentation Award" section:
  1. Check the box for "Apply",
  2. Enter your current academic year in the designated field.
  • Note: Please follow the examples when filling in the "Academic Year" field.
    2nd-year doctoral student → 博士2年 (Doctoral 2nd year);
    2nd-year master's student → 修士2年 (Master's 2nd year);
    4th-year undergraduate student → 学部4年 (Undergraduate 4th year);
    2nd-year technical college advanced course student → 高専専攻2年 (Technical College Advanced 2nd year)

    • 【審査方法 (Review Process)】

    　審査は、領域９に関係する複数の研究者により行います。
    　日本物理学会学生優秀発表賞 領域９実施規則 The review will be conducted by multiple researchers affiliated with Division 9.

    【その他 (Others)】

    1. 領域9ポスターセッションの日程はプログラム編成時に決定します。申し込み時点では決まっておりませんので、あらかじめご承知おき下さい。
    2. 応募方法などについて不明な点があれば、領域運営委員にお問い合わせ下さい。（committee_r9＠jps.or.jp, ＠を半角にしタイトルに[領域9]と入れてください）
    3. 審査結果は領域ホームページに掲載します。また審査を行う大会の領域9インフォーマルミーティングに先立って表彰を行います。
    4. 対象とする講演や実施方法等は、実施状況を踏まえて領域9インフォーマルミーティングで今後継続的に検討していきます。
    1. The schedule for the Division 9 poster session will be determined during program planning. Please note that it is not fixed at the time of application.
    2. If you have any questions regarding the application process, please contact the Division Committee. (committee_r9@jps.or.jp. please replace the full-width ＠ with a half-width @ and include [Division 9] in the subject line)
    3. The results of the review will be posted on the Division website. The award ceremony will be held prior to the Division 9 Informal Meeting during the conference in which the review is conducted.
    4. The scope of eligible presentations and implementation details will be continuously reviewed at the Division 9 Informal Meeting based on the implementation status.
      5.

    　 領域9 学生優秀発表賞受賞者

    第17回（2025年 年次大会）受賞者

    授賞式　2025年9月17日(水) 17:30（広島大学東広島キャンパス SK203会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    緒方里砂
    横市大院生命ナノ
    		 光STMを用いたC60分子膜における発光特性の構造依存性の研究
    鶴田侑也
    東理大理
    		 光電子運動量顕微鏡によるBi/Si(111)-βの電子状態の研究

    第16回（2025年 春季大会）受賞者

    授賞式　2025年3月19日(水) 18:00（オンライン会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    岡崎淳哉
    東大物性研
    		 Si(111)上の高密度Pb 単原子層薄膜における構造および電気伝導のナノスケール評価
    安村洋輝
    京大院理
    		 銅表面上におけるフォルメートの吸着状態の面方位依存性

    第15回（2024年 年次大会）受賞者

    授賞式　2024年9月18日(火) 18:00（北海道大学札幌キャンパス N101会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    清水翔太
    東大院理
    		 トポロジカル超伝導体Fe(Se,Te)薄片への軽元素修飾による影響
    宮川泰明
    東工大理
    		 超高真空プロセスによるSiO2/SiC界面欠陥での単色発光
    山崎孝輔
    阪大基礎工
    		 パーシステントホモロジーを用いたアモルファスグラフェンの物性値予測

    第14回（2024年 春季大会）受賞者

    授賞式　2024年3月19日(火) 18:00（オンライン会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    黒石 健太
    京大院理
    		 量子井戸準位を介したインジウム超薄膜からのSTM誘起発光
    阪口 佳子
    東大物性研
    		 Cu(977)およびPd/Cu(977)表面におけるメタノールの脱水素化反応

    第13回（2023年 第78回年次大会）受賞者

    授賞式　2023年9月24日(金) 17:00（東北大学川内キャンパスC301）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    佐藤瞬亮
    東大理
    		 Ybインターカレートグラフェンの電子構造と電気伝導特性
    戸市裕一朗
    阪大院工
    		 2原子層タリウムの隠れたスピン偏極電子バンド
    李旭
    名大工
    		 Pt(111)基板上のX-Ti-O (X=Ce,Yb)準結晶関連構造超薄膜の創製と構造評価

    第12回（2023年 春季大会）受賞者

    授賞式　2022年3月24日(金) 16:00（オンライン会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    岩城展世
    九大総理工
    		 モリブデン表面上におけるホウ素薄膜の構造
    永松優花
    九大総理工
    		 単層FeOの酸化還元における金属Ruと酸化Ru基板の効果

    第11回（2022年 秋季大会）受賞者

    授賞式　2022年9月12日(月) 14:57-15:09 PSB会場
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    辻川夕貴
    東大物性研
    		 Cu(111)基板上のホウ素原子鎖についての研究
    大野誠貴
    名大院工
    		 偏析法による Ag(100)薄膜表面上の Ge 超薄膜の創製

    第10回（2022年 第77回年次大会）受賞者

    授賞式　2022年3月19日(土) 16:00（オンライン会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    寺川成海
    京大理
    		 Si(111)上の(In, Mg)超薄膜の構造と電子状態：準自立2原子層金属の形成
    尾崎文彦
    東大物性研
    		 レーザー切断により調製したMoS2エッジ面の分光学的研究

    第9回（2021年 秋季大会）受賞者

    授賞式　2021年9月22日(木) 18:00-20:00（オンライン会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    平尾 佳那絵
    電通大
    授賞式写真
    		二次元凝着力分布によって説明されるナノスケール界面接触のメカニズムと摩擦への影響
    Mohammad Ikram Hossain
    Tohoku Univ.
    授賞式写真
    		Strain Induced Magnetic Moment detected by Observing Yu-Shiba-Rusinov (YSR) State in 1T-Phase Island on Cleaved NbSe2 Surface

    第8回（2021年 第76回年次大会）受賞者

    授賞式　2021年3月14日(木) 18:00-20:00（オンライン会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    藤本 将秀
    東学大
    授賞式写真
    		原子状水素曝露したTiO2(110)表面の構造・電子状態と光触媒活性
    一色 裕次
    東工大院理
    授賞式写真
    		π共役分子の単分子輸送特性と電子構造

    第7回（2020年 秋季大会）受賞者

    授賞式　2020年9月10日(木) 18:00-20:00（オンライン会場）
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    佐藤 優大
    東大物性研
    授賞式写真
    		Si(111)微傾斜面上のPb単原子層超伝導相における面直臨界磁場の増大
    辻川 夕貴
    早大先進理工
    授賞式写真
    		仕事関数の違いを利用したグラフェンのバンド制御:Pb蒸着グラフェン/SiC(0001)

    第6回（2019年 秋季大会）受賞者

    授賞式　2019年9月12日(木) 17:10-17:20 K15会場
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    一色 裕次
    東工大理
    授賞式写真
    		単分子接合の電流電圧特性と動的な電子状態の解明
    長谷川 瞬
    北大院工
    授賞式写真（代理：國貞雄治先生）
    		軽元素置換グラフェン上での金属単原子触媒の安定性と酸素還元活性
    鄭 帝洪
    東大理
    授賞式写真
    		Yb蒸着されたグラフェン/SiCにおける強磁性の発現

    第5回（2019年 第74回年次大会）受賞者

    授賞式　2019年3月16日(土) 17:10-17:20 K204会場　授賞式写真１・２
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    今井 みやび
    東大新領域
    授賞式写真
    		STM 発光分光法を用いた単一分子での励起子生成・消滅過程の可視化
    小澤 孝拓
    東大生研
    授賞式写真
    		水素イオン照射を用いた薄膜 PdHx の 50K 異常発現

    第4回（2018年 秋季大会）受賞者

    授賞式　2018年9月11日(火) 17:30-17:50 C116会場
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    志満津 宏樹
    名大院工
    受賞式写真（代理：柚原淳司先生）
    		Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造
    野口 亮
    東大物性研
    受賞式写真
    		擬一次元物質β-Bi4I4における弱いトポロジカル絶縁体相の発見とそのトポロジカル相制御

    第3回（2018年 年次大会）受賞者

    授賞式　2018年3月22日(土) 17:30-18:30 K603会場
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    遠藤 由大
    東大理
    		 全反射高速陽電子回折法による2層グラフェン層間化合物の構造解析
    角田 一樹
    広大理
    		 トポロジカル絶縁体(Sb,Bi)2Te3における反転分布現象の観測と制御

    第2回（2017年 秋季大会）受賞者

    授賞式　2017年9月22日(土) 17:30-18:30 J17会場
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    伊藤 俊
    東大物性研
    		 表面吸着アルカリ金属原子からの電子ドーピングによるバンド構造の変形

    第1回（2017年 年次大会）受賞者

    授賞式　2017年3月18日(土) 17:00-18:00 D42会場
    講演者（敬称略） 講演タイトル
    染谷 隆史
    東大物性研
    		 軟X線時間分解 光電子分光法によるグラフェン/SiC界面の電荷移動ダイナミクスの研究
    津村 ゆり子
    横市大院ナノ
    		 ドナー・アクセ プター単分子積層によってCu(111)上に構築した分子ダイオードのSTM/STS観察